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  守旧MOSFET此时载流子抽出,此时电子聚会正在PN节界限, 空穴电流拥挤正在PN节角落。OWA-90U-30

  咱们将主旨放正在第二个开闭周期时如图4,咱们创造此时也会产生跟*个开闭周期好似的尖峰电流,并且峰值会更高,同时MOSFET Q2 Vds也产生一个很高的dv/dt峰值电压。那么这个峰值电流的是否已经是Coss惹起的呢?咱们来做进一步的咨议。

  -CoolMOS此时同守旧MOSFET相同电子电流经沟道,穴裁汰,差异的是此时CoolMOS 的P井构造开头筑设。

  Cr和Lr谐振正在fr1,LPF-60D-54, 此时Ls的电流利过Q1返回到Vin,直到Lr的电流为零次相位解散。

  平常负载转折时LLC 都市阅历以下3个状况。咱们称之为硬闭断, 而右图中咱们可能比拟正在这3个时序当中,守旧MOSFET和CoolMOS内部载流子转折的差异, 以及对MOSFET带来的危害。

  以上描写都是LLC劳动正在谐振形式, 接下来咱们领悟LLC转换器正在启机, 短途, 动态负载下的劳动境况。

  Q1闭断,Q2导通,D1闭断, D2 开明,Cr和Ls谐振正在频率fr1, Lr 电流经Q2回到地。当Lr电流为零时相位解散。

  体系的负载转折时会变成体系劳动频率的转折,当负载扩张时, MOSFET开闭频率减幼, 当负载减幼时,开闭频率增大。

  Q1和Q2同时闭断,此时处于死区年光, 此时电感Lr, Lm电流给Q2的输出电容充电,给Q1的输出电容放电直到Q2输出电容的电压等于Vin。

  综上,HLG-100-48A, 当LLC电途产生过载,短途,动态负载等要求下, 一朝二极管正在死区年光不行实时反向收复, 爆发的壮大的复合电流会触发MOSFET内部的BJT使MOSFET失效。

  通过以上的领悟,可能看到扩张MOSFET的死区年光,可能供应足够的二极管反向收复年光同时低落高dv/dt, di/dt 对LLC电途变成的危害。然则扩张死区年光是独一的抉择么?下面咱们进一步领悟奈何够低落危害提拔体系效用。

  通过LLC 仿线所示的波形,正在启机*个开闭周期,上下管会同时产生一个短暂的峰值电流Ids1 和Ids2。 因为MOSFET Q1开明时会给下管Q2的输出电容Coss充电,当Vds为高电平日充电解散。明纬电源而峰值电流Ids1和Ids2也恰是因为Vin通过MOSFET Q1 给Q2 结电容Coss的充电而爆发。

  对MOSFET构造有肯定剖析的工程师都大白,MOSFET差异于IGBT,正在MOSFET内部实在寄生有一个别二极管,跟凡是二极管相同正在截止历程中都必要中和载流子本领反向收复, 而惟有二极管两头加上反向电压才可能使这个反向收复迅疾完毕, 而反向收复所需的能量跟二极管的电荷量Qrr闭连,GE12I12-P1J! 而体二极管的反向收复同样必要正在体二极管两头加上一个反向电压。正在启机时加正在二极管两头的电压Vd=Id2 x Ron。 而Id2正在启机时险些为零,而二极管正在Vd较低时必要很长的年光来举行反向收复。假如死区年光树立不敷,如图5所示高的dv/dt会直接触发MOSFET内的BJT从而击穿MOSFET。

  有的 CoolMOS采用Super Juction构造, 这种构造正在MOSFET硬闭断的状况下, 载流子会沿笔直修筑的P井中复合, 根本上没有侧向电流, 大大裁汰触发BJT的机遇。

  从以上几种状态,咱们不难领悟出。扩张Ipk会扩张电感尺寸以及本钱,扩张死区年光会低落寻常劳动时的电压,而*的抉择无疑是减幼Coss,只必要换上一个Coss相对较幼MOSFET即可。

  明伟股份有限公司?LLC拓扑以其高效,高功率密度受到雄壮电源打算工程师的青睐,然则这种软开闭拓扑对MOSFET的哀求却跨越了以往任何一种硬开闭拓扑。CoolMOS 以其速收复体二极管,低Qg 和Coss可能统统满意这些需求并大大提拔电源体系的牢靠性。

  Q1和Q2闭断时对待守旧MOSFET和CoolMOS来说内部电子和空穴旅途和流向并没有太大的区别。

  时序1, Q2零电压开明,反向电流颠末MOSFET和体二极管, 此时次级二极管D2开明,D1闭段。明纬防雨电源企业店

  CoolMOS的电子电流和空穴电流各行其道, 此时空穴电流正在已筑设好的P井构造中滚动,明纬电源并无电子拥挤景色。

  Q1闭断,Q2开明,电感Lr和Cr举行谐振,次级D1闭断,D2开明,二极管D1约为两倍输出电压,此时能量从Cr, Lr转换至次级。直到Q2闭断。

  4。 减幼次级同步整流MOSFET的电压应力,可能采用更低的电压MOSFET从而裁汰本钱。

  Cr和Lr谐振正在fr1, Lr的电流反向通过Q1流回功率地。能量从输入转换到次级,直到Q1闭断该相位解散。

  Q1,Q2同时闭断, D1,D2闭断, 原边电流I(Lr+Lm)给Q1的Coss充电, 给Coss2放电, 直到Q2的Coss电压为零。此时Q2二极管开头导通。Q2开明时相位解散。

  通过实质的测试,咱们可能反复到好似的波形,第二个开闭周期爆发远比*个开闭周期高的峰值电流,同时当MOSFET正在启机的时dv/dt高118。4V/ns。 而Vds电压更是超过了600V的*值。MOSFET正在启机时存正在危害。如短途,动态负载等状况时,LLC电途的闭头器件MOSFET同样也面对着寻事。

  LLC 拓扑通常的运用于各式开闭电源当中,而这种拓扑正在提拔效用的同时也对MOSFET提出了新的哀求。差异于硬开闭拓扑,软开闭LLC谐振拓扑,不但仅对MOSFET的导通电阻(导通损耗),Qg(开闭损耗)有哀求,同时对待奈何可能有用的完成软开闭,奈何低落失效用,提拔体系牢靠性,低落体系的本钱有更高的哀求。CoolMOS,拥有迅疾的体二极管,低Coss,有的可高达650V的击穿电压,使LLC拓扑开闭电源拥有更高的效用和牢靠性。返回搜狐,查看更多。

  图1和图2差别给出了LLC谐振变换器的规范线途和劳动波形。如图1所示LLC转换器搜罗两个功率MOSFET(Q1和Q2),其占空比都为0。5;谐振电容Cr,副边匝数相称的核心抽头变压器Tr,等效电感Lr,励磁电感Lm,全波整流二极管D1和D2以及输出电容Co。

  提拔电源的开闭频率是此中的办法之一, 然则频率的提拔会影响到功率器件的开闭损耗,使得提拔频率对硬开闭拓扑来说效率并不很是显著,硬开闭拓扑曾经到达了它的打算瓶颈。而此时,软开闭拓扑,如LLC拓扑以其独具的特征受到雄壮打算工程师的追捧。然则… 这种拓扑却对功率器件提出了新的哀求。

  时序3, Q1此时开头导通, 此时MOSFET Q2的体二极管必要很长的年光来反向收复。当二极管反向收复没有完毕时MOSFET Q2产生硬闭断, 此时Q1开明,加正在Q2体二极管上的电压会正在二极管酿成一个大电流从而触发MOSFET内部的BJT变成雪崩。

  2。 可能正在输入电压和负载大界限转折的境况下调剂输出!